BSC010NE2LSIATMA1

Hersteller-Teilenummer:	BSC010NE2LSIATMA1
Hersteller / Marke:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
Datenblätte:	BSC010NE2LSIATMA1.pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers:	420 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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ArtikelnummerBSC010NE2LSIATMA1
HerstellerInternational Rectifier (Infineon Technologies)
BeschreibungMOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
Teilstatus420 pcs Stock
VGS (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-GehäusePG-TDSON-8
SerieOptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.05 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)2.5W (Ta), 96W (Tc)
VerpackungTape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse8-PowerTDFN
Andere NamenBSC010NE2LSI
BSC010NE2LSI-ND
BSC010NE2LSIATMA1TR
BSC010NE2LSITR-ND
SP000854376
Betriebstemperatur-
BefestigungsartSurface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds4200pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs59nC @ 10V
Typ FETN-Channel
FET-Merkmal-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)25V
detaillierte BeschreibungN-Channel 25V 38A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C38A (Ta), 100A (Tc)
BSC010NE2LSIATMA1 Einzelheiten PDF [English]BSC010NE2LSIATMA1 PDF - EN.pdf

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